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Microsemi Corporation APT1002RBNG

Name: APT1002RBNG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT1002RBNG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (457 reviews)

Numero parte MFG: APT1002RBNG

quantità disponibile: 97790 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT1002RBNG.pdf

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APT1002RBNG specificazioni

codice articolo del costruttore	APT1002RBNG
Numero di parte futuro	FT-APT1002RBNG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS IV®
APT1002RBNG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	240W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1002RBNG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT1002RBNG-FT

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