casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT1001R1BN
codice articolo del costruttore | APT1001R1BN |
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Numero di parte futuro | FT-APT1001R1BN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS IV® |
APT1001R1BN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT1001R1BN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT1001R1BN-FT |
AON3825_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON4407L
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AON4605_002
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AON6260L
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AON6266_101
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AON6362P
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AON6370P
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AON6370_001
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AON6370_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6414AL
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