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APT1001R1BN Image

Microsemi Corporation APT1001R1BN

Numero parte MFG
APT1001R1BN
quantità disponibile
54520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT1001R1BN specificazioni

codice articolo del costruttore APT1001R1BN
Numero di parte futuro FT-APT1001R1BN
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS IV®
APT1001R1BN Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001R1BN Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT1001R1BN-FT

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