casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / APD245VGTR-E1
codice articolo del costruttore | APD245VGTR-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-APD245VGTR-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APD245VGTR-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-15 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APD245VGTR-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APD245VGTR-E1-FT |
1N6841
Microsemi Corporation
1N6841U3
Microsemi Corporation
1N6842
Microsemi Corporation
1N6843
Microsemi Corporation
1N6843CCU3
Microsemi Corporation
1N6844
Microsemi Corporation
1N6910UTK2AS
Microsemi Corporation
1N7039CCT1
Microsemi Corporation
1N7039CCU1
Microsemi Corporation
1N7043CAT1
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel