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AOW29S50 Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW29S50

Numero parte MFG
AOW29S50
quantità disponibile
60390 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.8348
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Data di spedizione
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fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
aMOS™ MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AOW29S50 specificazioni

codice articolo del costruttore AOW29S50
Numero di parte futuro FT-AOW29S50
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie aMOS™
AOW29S50 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1312pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOW29S50 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AOW29S50-FT

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