codice articolo del costruttore | AOW2918 |
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Numero di parte futuro | FT-AOW2918 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW2918 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3430pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 267W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW2918 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOW2918-FT |
ZVN4310GTC
Diodes Incorporated
ZVN4424GTC
Diodes Incorporated
ZVN4525GTC
Diodes Incorporated
ZVNL110GTC
Diodes Incorporated
ZVNL120GTC
Diodes Incorporated
ZVP0545GTC
Diodes Incorporated
ZVP2106GTC
Diodes Incorporated
ZVP2110GTC
Diodes Incorporated
ZVP2120GTC
Diodes Incorporated
ZVP4424GTC
Diodes Incorporated
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel