codice articolo del costruttore | AOW284 |
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Numero di parte futuro | FT-AOW284 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AlphaMOS |
AOW284 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5154pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta), 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW284 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOW284-FT |
ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GQTC
Diodes Incorporated
ZVN0545GTC
Diodes Incorporated
ZVN2106GTC
Diodes Incorporated
ZVN2110GTC
Diodes Incorporated
ZVN2120GTC
Diodes Incorporated
ZVN4206GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4210GTC
Diodes Incorporated
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel