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AOW11S65 Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW11S65

Numero parte MFG
AOW11S65
quantità disponibile
45430 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.96424
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Data di spedizione
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fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
aMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A TO262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AOW11S65 specificazioni

codice articolo del costruttore AOW11S65
Numero di parte futuro FT-AOW11S65
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie aMOS™
AOW11S65 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 198W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOW11S65 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AOW11S65-FT

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