casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOW11N60
codice articolo del costruttore | AOW11N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOW11N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW11N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 272W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW11N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOW11N60-FT |
ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
ZVN4424GTA
Diodes Incorporated
ZVN4525GTA
Diodes Incorporated
ZVNL120GTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
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Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel