casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOW11N60
codice articolo del costruttore | AOW11N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOW11N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW11N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 272W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW11N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOW11N60-FT |
ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
ZVN4424GTA
Diodes Incorporated
ZVN4525GTA
Diodes Incorporated
ZVNL120GTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545G4TA
Diodes Incorporated
ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
ZXMN6A08GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTC
Diodes Incorporated
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel