casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOW10T60P
codice articolo del costruttore | AOW10T60P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AOW10T60P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOW10T60P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1595pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW10T60P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOW10T60P-FT |
ZXMP4A16GQTC
Diodes Incorporated
ZVN0545GTC
Diodes Incorporated
ZVN2106GTC
Diodes Incorporated
ZVN2110GTC
Diodes Incorporated
ZVN2120GTC
Diodes Incorporated
ZVN4206GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4210GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GTC
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTC
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA
Diodes Incorporated
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel