codice articolo del costruttore | AOU4N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOU4N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOU4N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOU4N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOU4N60-FT |
CEDM8004VL TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM7120G TR
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CMLDM8120G TR
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CMLDM8120 TR
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CMPDM202PH TR
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CMPDM203NH TR
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CMPDM302PH TR
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CMPDM303NH TR
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CDM2205-800FP SL
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CDM2208-800FP SL
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