casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOT8N65_001
codice articolo del costruttore | AOT8N65_001 |
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Numero di parte futuro | FT-AOT8N65_001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOT8N65_001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOT8N65_001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOT8N65_001-FT |
AOT8N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOT260L
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AOT8N80L
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AOT7S65L
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AOT5N50
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AOT9N50
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AOT14N50
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AOT414
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AOT15S65L
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AOT42S60L
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