codice articolo del costruttore | AOT4N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOT4N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOT4N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOT4N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOT4N60-FT |
AOTF8T50PL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF8T50P_001
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AON7407
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AON7410
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AON7522E
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AON7524
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AON7528
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AON7508
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AON7262E
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AON7400A
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