codice articolo del costruttore | AOT412 |
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Numero di parte futuro | FT-AOT412 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDMOS™ |
AOT412 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Ta), 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.6W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOT412 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOT412-FT |
AON7403L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7403L_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7408L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7409
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7410L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7410L_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7410L_105
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7412
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7416_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel