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AOT11S65L Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT11S65L

Numero parte MFG
AOT11S65L
quantità disponibile
39470 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.9248
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Data di spedizione
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fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
aMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AOT11S65L specificazioni

codice articolo del costruttore AOT11S65L
Numero di parte futuro FT-AOT11S65L
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie aMOS™
AOT11S65L Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 198W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOT11S65L Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AOT11S65L-FT

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