casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AONS21321
codice articolo del costruttore | AONS21321 |
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Numero di parte futuro | FT-AONS21321 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AONS21321 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 24.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AONS21321 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AONS21321-FT |
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH62M8LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
FMD15-06KC5
IXYS
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel