casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AONR21357
codice articolo del costruttore | AONR21357 |
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Numero di parte futuro | FT-AONR21357 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AONR21357 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2830pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AONR21357 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AONR21357-FT |
AOTF29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF3N100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF3N80
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF3N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF4126
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF454L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF4N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF4N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF5N100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOTF5N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel