casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON7611
codice articolo del costruttore | AON7611 |
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Numero di parte futuro | FT-AON7611 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON7611 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A, 18.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7611 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON7611-FT |
DMN3190LDW-13
Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DWK-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UT-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7-F
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-13
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-7
Diodes Incorporated
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXMA3K2F35C2LN
Intel
EP3SL340H1152I3N
Intel
XC5VFX30T-1FF665CES
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.