codice articolo del costruttore | AON7442 |
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Numero di parte futuro | FT-AON7442 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AlphaMOS |
AON7442 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2994pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7442 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON7442-FT |
DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel