codice articolo del costruttore | AON7230 |
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Numero di parte futuro | FT-AON7230 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON7230 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2320pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON7230 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON7230-FT |
DMT6004SPS-13
Diodes Incorporated
DMT68M8LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LPS-13
Diodes Incorporated
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel