casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON6910A
codice articolo del costruttore | AON6910A |
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Numero di parte futuro | FT-AON6910A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6910A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.1A, 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.9W, 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6910A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON6910A-FT |
DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated
2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
BSS84DW-7-F
Diodes Incorporated
DMN63D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated
BSS8402DW-7-F
Diodes Incorporated
DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7
Diodes Incorporated
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel