casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON6810
codice articolo del costruttore | AON6810 |
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Numero di parte futuro | FT-AON6810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 15V |
Potenza - Max | 4.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP (5.2x5.55) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON6810-FT |
AO4806
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO4818B
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AO4822A
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AO4832
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AO4840E
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AO4854
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AO4862
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AO4862E
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AO4884
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AO4892
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A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
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EP3C16F256C6
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10AX032H2F35E2LG
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
Intel
EPF10K200SBC356-1
Intel
10M02DCV36C7G
Intel