casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AON6532P
codice articolo del costruttore | AON6532P |
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Numero di parte futuro | FT-AON6532P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6532P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 710mV @ 1A |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6532P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON6532P-FT |
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