codice articolo del costruttore | AON6278 |
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Numero di parte futuro | FT-AON6278 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6278 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Ta), 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4646pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 7.4W (Ta), 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6278 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON6278-FT |
DMN6040SVT-7
Diodes Incorporated
DMP2035UVT-7
Diodes Incorporated
DMN3026LVTQ-7
Diodes Incorporated
DMP3065LVT-13
Diodes Incorporated
DMP3065LVT-7
Diodes Incorporated
DI9400T
Diodes Incorporated
DI9430T
Diodes Incorporated
C2M1000170D
Cree/Wolfspeed
C2M0280120D
Cree/Wolfspeed
C2M0080120D
Cree/Wolfspeed
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel