codice articolo del costruttore | AON2701 |
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Numero di parte futuro | FT-AON2701 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON2701 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2701 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON2701-FT |
AOK22N50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK40N30L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK53S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK5N100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK5N100L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK8N80
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK9N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK10N90
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOK20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel