codice articolo del costruttore | AON2409 |
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Numero di parte futuro | FT-AON2409 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON2409 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2409 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON2409-FT |
2N7002-HF
Comchip Technology
BSS84-HF
Comchip Technology
CEDM7004VL TR
Central Semiconductor Corp
CEDM8001VL TR
Central Semiconductor Corp
CEDM8004 TR
Central Semiconductor Corp
CEDM7001VL TR
Central Semiconductor Corp
CEDM8004VL TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM7120G TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM8120G TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM8120 TR
Central Semiconductor Corp
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel