codice articolo del costruttore | AO4630 |
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Numero di parte futuro | FT-AO4630 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4630 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Caratteristica FET | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A, 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4630 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO4630-FT |
BSS84DW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DW-7
Diodes Incorporated
ZXMC3AM832TA
Diodes Incorporated
CMLDM7003 TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM7484 TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM8005 TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM3757 TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM5757 TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM7002AJ TR
Central Semiconductor Corp
CMLDM8002AG TR
Central Semiconductor Corp
LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
5SGXMA5K1F35C1N
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel