casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO4407BL
codice articolo del costruttore | AO4407BL |
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Numero di parte futuro | FT-AO4407BL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4407BL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 12A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4407BL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO4407BL-FT |
2SK3435-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3483(0)-Z-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3483(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3703-1EX
ON Semiconductor
2SK3755-AZ
Renesas Electronics America
2SK3793-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel