casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO4407A_102
codice articolo del costruttore | AO4407A_102 |
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Numero di parte futuro | FT-AO4407A_102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4407A_102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4407A_102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO4407A_102-FT |
2SK3408-T1B-AT
Renesas Electronics America
2SK3430(02)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SK3435-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3483(0)-Z-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3483(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3703-1EX
ON Semiconductor
2SK3755-AZ
Renesas Electronics America
2SK3793-AZ
Renesas Electronics America
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation