casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO4264_101
codice articolo del costruttore | AO4264_101 |
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Numero di parte futuro | FT-AO4264_101 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4264_101 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2007pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4264_101 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO4264_101-FT |
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3402(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3408-T1B-AT
Renesas Electronics America
2SK3430(02)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SK3435-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3483(0)-Z-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3483(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel