casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO3422L_103
codice articolo del costruttore | AO3422L_103 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3422L_103 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3422L_103 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3422L_103 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3422L_103-FT |
2SK3377-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3402(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3408-T1B-AT
Renesas Electronics America
2SK3430(02)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SK3435-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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Intel