codice articolo del costruttore | AO3419L |
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Numero di parte futuro | FT-AO3419L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3419L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3419L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3419L-FT |
2SK3353-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.