casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO3416L_102
codice articolo del costruttore | AO3416L_102 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3416L_102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3416L_102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3416L_102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3416L_102-FT |
2SK1070PIETR-E
Renesas Electronics America
2SK2225-E
Renesas Electronics America
2SK2376(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3132(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3309(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3353(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
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