casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO3414L_105
codice articolo del costruttore | AO3414L_105 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3414L_105 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3414L_105 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3414L_105 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3414L_105-FT |
2SJ673-AZ
Renesas Electronics America
2SJ690-T1B-AT
Renesas Electronics America
2SK0615
Panasonic Electronic Components
2SK1070PICTL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIDTL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIETL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIETR-E
Renesas Electronics America
2SK2225-E
Renesas Electronics America
2SK2376(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3132(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel