casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AO3413L_101
codice articolo del costruttore | AO3413L_101 |
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Numero di parte futuro | FT-AO3413L_101 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3413L_101 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3413L_101 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AO3413L_101-FT |
2SJ668(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ673-AZ
Renesas Electronics America
2SJ690-T1B-AT
Renesas Electronics America
2SK0615
Panasonic Electronic Components
2SK1070PICTL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIDTL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIETL-E
Renesas Electronics America
2SK1070PIETR-E
Renesas Electronics America
2SK2225-E
Renesas Electronics America
2SK2376(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation