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codice articolo del costruttore | AL12A08N0JTR |
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Numero di parte futuro | FT-AL12A08N0JTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AL |
AL12A08N0JTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Air |
Induttanza | 8nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.6 mOhm Max |
Q @ Freq | 140 @ 150MHz |
Frequenza - Autorisonante | 5GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 150MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.145" L x 0.120" W (3.68mm x 3.05mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.125" (3.18mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AL12A08N0JTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AL12A08N0JTR-FT |
6000-222K-RC
Bourns Inc.
6000-330K-TR-RC
Bourns Inc.
6000-390K-RC
Bourns Inc.
6000-391K-RC
Bourns Inc.
6000-472K-TR-RC
Bourns Inc.
6000-473K-RC
Bourns Inc.
6000-561K-RC
Bourns Inc.
6000-6R8M-RC
Bourns Inc.
6000-820K-RC
Bourns Inc.
08341
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel