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codice articolo del costruttore | AIRD-02-1R0M |
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Numero di parte futuro | FT-AIRD-02-1R0M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AIRD-02 |
AIRD-02-1R0M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 11.4A |
Corrente - Saturazione | 108A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Vertical Cylinder |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.827" Dia (21.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIRD-02-1R0M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AIRD-02-1R0M-FT |
AIUR-08-120K
Abracon LLC
AIUR-08-150K
Abracon LLC
AIUR-08-151K
Abracon LLC
AIUR-08-180K
Abracon LLC
AIUR-08-181K
Abracon LLC
AIUR-08-220K
Abracon LLC
AIUR-08-221K
Abracon LLC
AIUR-08-270K
Abracon LLC
AIUR-08-271K
Abracon LLC
AIUR-08-330K
Abracon LLC
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation