casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / AFT09S200W02GNR3
codice articolo del costruttore | AFT09S200W02GNR3 |
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Numero di parte futuro | FT-AFT09S200W02GNR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AFT09S200W02GNR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 960MHz |
Guadagno | 19.2dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 1.4A |
Potenza - Uscita | 56W |
Tensione: nominale | 70V |
Pacchetto / caso | OM-780-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | OM-780-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT09S200W02GNR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AFT09S200W02GNR3-FT |
BLF188XRGJ
Ampleon USA Inc.
BLF184XRGQ
Ampleon USA Inc.
BLF184XRGJ
Ampleon USA Inc.
BLF182XRU
Ampleon USA Inc.
BLF182XRSU
Ampleon USA Inc.
BLC9G27LS-151AVZ
Ampleon USA Inc.
BLC9G24LS-170AVZ
Ampleon USA Inc.
BLC9G24LS-170AVY
Ampleon USA Inc.
BLC8G09XS-400AVTZ
Ampleon USA Inc.
BLC9G20XS-550AVTZ
Ampleon USA Inc.
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel