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codice articolo del costruttore | ADXRS646TBGZ-EP |
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Numero di parte futuro | FT-ADXRS646TBGZ-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ADXRS646TBGZ-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Analog |
Asse | Z (Yaw) |
Intervallo ° / s | ±250 |
Sensibilità (LSB / (° / s)) | - |
Sensibilità (mV / ° / s) | 9 |
Larghezza di banda | 1kHz |
Tipo di uscita | Analog Voltage |
Tensione - Fornitura | 5.75V ~ 6.25V |
Corrente - Fornitura | 4mA |
Caratteristiche | Temperature Sensor |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | 32-BFCBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ADXRS646TBGZ-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ADXRS646TBGZ-EP-FT |
LY330ALH
STMicroelectronics
LY330ALHTR
STMicroelectronics
A3G4250D
STMicroelectronics
A3G4250DTR
STMicroelectronics
I3G4250DTR
STMicroelectronics
L3G4200D
STMicroelectronics
L3G4200DTR
STMicroelectronics
L2G2ISTR
STMicroelectronics
LPR4150AL
STMicroelectronics
LISY300AL
STMicroelectronics
XC3S400A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC4006E-2PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
EP1C3T100C7
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC2V4000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C7N
Intel