casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / ACNT-H313-500E
codice articolo del costruttore | ACNT-H313-500E |
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Numero di parte futuro | FT-ACNT-H313-500E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ACNT-H313-500E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Optical Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 7500Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 40kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 500ns, 500ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 300ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 100ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 2A, 2A |
Corrente: picco di uscita | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 25mA |
Tensione - Fornitura | 15V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.543", 13.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
approvazioni | CSA, IEC/EN/DIN, UR |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ACNT-H313-500E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ACNT-H313-500E-FT |
SI8285BD-IS
Silicon Labs
SI8285CD-IS
Silicon Labs
SI8285CD-ISR
Silicon Labs
SI8286BD-IS
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SI8261BCD-C-IS
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SI8261ACD-C-IS
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SI8261BAD-C-ISR
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SI8261BBD-C-IS
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SI8261BAD-C-IS
Silicon Labs
SI8261ABD-C-IS
Silicon Labs
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XA3S200-4PQG208I
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AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP1C3T100C8
Intel
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40I4N
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5SGXEA5K2F35I2N
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XC7A200T-L1FB484I
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XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
EP1AGX50DF780I6N
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