casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ACDSV21H-G
codice articolo del costruttore | ACDSV21H-G |
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Numero di parte futuro | FT-ACDSV21H-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ACDSV21H-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ACDSV21H-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ACDSV21H-G-FT |
DB3X603K0L
Panasonic Electronic Components
BAS40E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS40E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS70E6433HTMA1
Infineon Technologies
1PS193,115
NXP USA Inc.
1PS193,135
NXP USA Inc.
1PS59SB10,115
NXP USA Inc.
1PS59SB20,115
NXP USA Inc.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel