codice articolo del costruttore | A430B |
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Numero di parte futuro | FT-A430B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A430B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1000A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.42V @ 3140A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A430B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A430B-FT |
6A10G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel