casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / A3T18H360W23SR6
codice articolo del costruttore | A3T18H360W23SR6 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-A3T18H360W23SR6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A3T18H360W23SR6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
Guadagno | 16.6dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | 10µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 700mA |
Potenza - Uscita | 63W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | ACP-1230S-4L2S |
Pacchetto dispositivo fornitore | ACP-1230S-4L2S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A3T18H360W23SR6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A3T18H360W23SR6-FT |
ARF475FL
Microsemi Corporation
ARF1510
Microsemi Corporation
VRF2933MP
Microsemi Corporation
ARF1511
Microsemi Corporation
VRF151MP
Microsemi Corporation
ARF1505
Microsemi Corporation
ARF466FL
Microsemi Corporation
ARF1519
Microsemi Corporation
ARF469AG
Microsemi Corporation
ARF469BG
Microsemi Corporation
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
XC4VLX60-10FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34E3LG
Intel
10AX115H3F34E2LG
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
5SGSMD4H3F35C2N
Intel