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NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3

Name: A2T18S261W12NR3
Brand: NXP USA Inc.
SKU: A2T18S261W12NR3
Price: 54.140352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (771 reviews)

Numero parte MFG: A2T18S261W12NR3

quantità disponibile: 75270 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 54.140352

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fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - RF

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: A2T18S261W12NR3.pdf

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A2T18S261W12NR3 specificazioni

codice articolo del costruttore	A2T18S261W12NR3
Numero di parte futuro	FT-A2T18S261W12NR3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
A2T18S261W12NR3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	LDMOS
Frequenza	1.805GHz ~ 1.88GHz
Guadagno	18.2dB
Tensione - Test	28V
Valutazione attuale	10µA
Figura di rumore	-
Corrente - Test	1.5A
Potenza - Uscita	280W
Tensione: nominale	65V
Pacchetto / caso	OM-880X-2L2L
Pacchetto dispositivo fornitore	OM-880X-2L2L
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S261W12NR3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	A2T18S261W12NR3-FT

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