casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / A2G35S200-01SR3
codice articolo del costruttore | A2G35S200-01SR3 |
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Numero di parte futuro | FT-A2G35S200-01SR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A2G35S200-01SR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Guadagno | 16.1dB |
Tensione - Test | 48V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 291mA |
Potenza - Uscita | 180W |
Tensione: nominale | 125V |
Pacchetto / caso | NI-400S-2S |
Pacchetto dispositivo fornitore | NI-400S-2S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2G35S200-01SR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A2G35S200-01SR3-FT |
PD85035-E
STMicroelectronics
PD20015-E
STMicroelectronics
LET9045
STMicroelectronics
PD57070-E
STMicroelectronics
PD20010TR-E
STMicroelectronics
PD54008TR-E
STMicroelectronics
PD55008TR-E
STMicroelectronics
PD55015-E
STMicroelectronics
PD55015TR-E
STMicroelectronics
PD55025TR-E
STMicroelectronics
XC4020XL-09HT144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3N
Intel
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
10AX048H4F34E3LG
Intel
XC7K160T-2FB676I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP3SE50F780C4LN
Intel