casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / A197RPB
codice articolo del costruttore | A197RPB |
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Numero di parte futuro | FT-A197RPB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A197RPB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A197RPB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A197RPB-FT |
1N5622C.TR
Semtech Corporation
1N5623
Semtech Corporation
1N6073
Semtech Corporation
1N6074
Semtech Corporation
1N6075
Semtech Corporation
1N6076
Semtech Corporation
1N6077
Semtech Corporation
1N6078
Semtech Corporation
1N6079
Semtech Corporation
1N6081
Semtech Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel