codice articolo del costruttore | A177RM |
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Numero di parte futuro | FT-A177RM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A177RM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A177RM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A177RM-FT |
1N3176
Microsemi Corporation
1N3288
Microsemi Corporation
1N3288AR
Powerex Inc.
1N3288R
Microsemi Corporation
1N3289
Microsemi Corporation
1N3289R
Microsemi Corporation
1N3290A
Powerex Inc.
1N3290AR
Powerex Inc.
1N3291
Microsemi Corporation
1N3291R
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel