codice articolo del costruttore | A177RM |
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Numero di parte futuro | FT-A177RM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A177RM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A177RM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A177RM-FT |
1N3176
Microsemi Corporation
1N3288
Microsemi Corporation
1N3288AR
Powerex Inc.
1N3288R
Microsemi Corporation
1N3289
Microsemi Corporation
1N3289R
Microsemi Corporation
1N3290A
Powerex Inc.
1N3290AR
Powerex Inc.
1N3291
Microsemi Corporation
1N3291R
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel