casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 86CNQ200SL
codice articolo del costruttore | 86CNQ200SL |
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Numero di parte futuro | FT-86CNQ200SL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
86CNQ200SL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PRM2-SL |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM2-SL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
86CNQ200SL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 86CNQ200SL-FT |
MBRB10100CTTR
SMC Diode Solutions
SDURB1040CTTR
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SDURB1520CTTR
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10CTQ150STR
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XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
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EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel