casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 831756800
codice articolo del costruttore | 831756800 |
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Numero di parte futuro | FT-831756800 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-MASH-I |
831756800 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | 20A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 18.5 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD |
Dimensione / Dimensione | 0.512" L x 0.512" W (13.00mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
831756800 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 831756800-FT |
7443630860
Wurth Electronics Inc.
7443630070
Wurth Electronics Inc.
7443630550
Wurth Electronics Inc.
744750230100
Wurth Electronics Inc.
744750230150
Wurth Electronics Inc.
744750230047
Wurth Electronics Inc.
744750230068
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744750560047
Wurth Electronics Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel