casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 831653300
codice articolo del costruttore | 831653300 |
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Numero di parte futuro | FT-831653300 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-MASH-I |
831653300 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 11.5A |
Corrente - Saturazione | 22A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 13 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
831653300 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 831653300-FT |
7443631500
Wurth Electronics Inc.
7443632200
Wurth Electronics Inc.
7443633300
Wurth Electronics Inc.
7443630220
Wurth Electronics Inc.
7443630310
Wurth Electronics Inc.
7443630420
Wurth Electronics Inc.
7443630140
Wurth Electronics Inc.
7443630700
Wurth Electronics Inc.
7443630860
Wurth Electronics Inc.
7443630070
Wurth Electronics Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel