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codice articolo del costruttore | 831531001 |
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Numero di parte futuro | FT-831531001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-MASH-I |
831531001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.5A |
Corrente - Saturazione | 5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.276" L x 0.276" W (7.00mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
831531001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 831531001-FT |
744373965033
Wurth Electronics Inc.
744373965047
Wurth Electronics Inc.
744373965068
Wurth Electronics Inc.
744373965100
Wurth Electronics Inc.
744373965120
Wurth Electronics Inc.
744373965150
Wurth Electronics Inc.
744373965220
Wurth Electronics Inc.
7443631000
Wurth Electronics Inc.
7443634700
Wurth Electronics Inc.
7443631500
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel